การพัฒนาเทคนิค CVI

มีการพัฒนาเทคนิค CVI ที่แตกต่างกันหลายอย่างสำหรับวัสดุผสมที่แตกต่างกัน โดยเทคนิคที่รู้จักกันดีที่สุดคือเทคนิค isothermal one (I-CVI) ซึ่งใช้สำหรับ CMC ที่ไม่ใช่ออกไซด์ที่ขึ้นต้นด้วย Cf/C และย้ายไปยังวัสดุผสม SiCf/SiC กระบวนการนี้ถูกสร้างขึ้นในตอนแรกสำหรับการทำให้หนาแน่นของวัสดุผสมทนไฟกระบวนการนี้ถูกสร้างขึ้นใน ขั้น  เครื่องยนต์  ในช่วงไม่กี่ทศวรรษที่ผ่านมา มีการใช้สารนี้เพื่อเพิ่มความหนาแน่นของ Cf/C สำหรับเบรกเครื่องบิน และ SiCf/SiC สำหรับส่วนประกอบในอวกาศ[ 16 ] เมทริกซ์ประดิษฐ์ส่วนใหญ่ที่มี CVI ได้แก่ SiC, C, Si 3 N 4 , BN, Al 2 O 3 , B4C, TiC และ ZrO 2 ( รูปที่ 2 ) I-CVI ได้รับการแนะนำเป็น CVI แบบไล่ระดับความร้อน (modified CVI) และใช้สำหรับการผลิตชิ้นส่วนขนาดใหญ่ เช่น หัวฉีดจรวด การทับถม F-CVI แบบไล่ระดับความร้อนได้รับการแนะนำเพื่อแทนที่ I-CVI ในขณะที่ทำงานกับ SiC และ Si matrices ที่มีผลิตภัณฑ์สำเร็จรูปที่มีรูพรุนต่างๆ ซึ่งการถ่ายโอนมวลเกิดขึ้นโดยการพาความร้อน แบบบังคับ เนื่องจากการไล่ระดับความดันจรวด[ 17 ] ในวิธีนี้ ผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้นต้นจะได้รับความร้อนอย่างสม่ำเสมอมากขึ้นเนื่องจากการเพิ่มขึ้นของการนำความร้อนของผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้นต้นที่แทรกซึม [ 18 ] [ 19 ] 3 N 4 [ 14 ]. บุสมันน์ และคณะ วิจัยการใช้ งานจริงของการผลิตส่วนประกอบ SiC/SiC โดยใช้กระบวนการ F-CVI [ 20 ] นอกจากนี้ ยังมีการวิจัยว่าเวลาในการแทรกซึมของกระบวนการ F-CVI ซึ่งรายงานว่าเวลาในการผลิตเมทริกซ์ SiC ลดลงแม้ว่าผลิตภัณฑ์ที่ขึ้นรูปขั้นต้นจะมีความหนา 2.5 มม. [ 21 ]